半导体制造装置和半导体制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710186553.0

申请日：

2007-12-12

公开(公告)号：

CN101202240A

公开(公告)日：

2008-06-18

发明(设计)人：

森田朋岳

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L21683

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

关兆辉;陆锦华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-06-18	公开	公开
2012-02-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101277721021 IPC(主分类):H01L 21/683 专利申请号:2007101865530 公开日:20080618

共 50 条

[1]

半导体制造方法和半导体制造装置 [P].

山口欣秀 ;

佐藤清彦 .

日本专利 :CN114916240B ,2025-11-21

[2]

半导体制造方法和半导体制造装置 [P].

山口欣秀 ;

佐藤清彦 .

中国专利 :CN114916240A ,2022-08-16

[3]

半导体制造方法和半导体制造装置 [P].

长谷川博之 ;

山冈智刚 ;

石原良夫 ;

增崎宏 .

中国专利 :CN1183578C ,2001-09-12

[4]

半导体制造装置和半导体制造方法 [P].

卞达开 ;

罗际蔚 ;

边春旭 .

中国专利 :CN117265509B ,2024-03-15

[5]

半导体制造装置和半导体制造方法 [P].

冈部庸之 ;

金子健吾 .

中国专利 :CN100462887C ,2006-03-22

[6]

半导体制造装置、半导体制造工厂及半导体制造方法 [P].

南出由生 ;

和田直之 .

日本专利 :CN120418927A ,2025-08-01

[7]

半导体装置的制造方法和半导体制造装置 [P].

三井贵彦 ;

山本荣一 .

中国专利 :CN107866724A ,2018-04-03

[8]

半导体制造装置 [P].

桥本隆宏 .

中国专利 :CN1233026C ,2004-03-24

[9]

半导体制造方法、半导体制造装置以及半导体装置 [P].

太駄俊彦 ;

黑泽哲也 ;

福田昌利 .

中国专利 :CN110310903A ,2019-10-08

[10]

半导体制造装置以及半导体制造方法 [P].

田中博司 .

中国专利 :CN110383428A ,2019-10-25

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