半导体制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03127493.5

申请日：

2003-06-17

公开(公告)号：

CN1233026C

公开(公告)日：

2004-03-24

发明(设计)人：

桥本隆宏

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

H01L21477

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李贵亮;杨梧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-03-24	公开	公开
2004-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-08-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101673084096 IPC(主分类):H01L 21/324 专利号:ZL031274935 申请日:20030617 授权公告日:20051221 终止日期:20150617
2005-12-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体制造装置和半导体制造方法 [P].

森田朋岳 .

中国专利 :CN101202240A ,2008-06-18

[2]

半导体制造装置、半导体制造工厂及半导体制造方法 [P].

南出由生 ;

和田直之 .

日本专利 :CN120418927A ,2025-08-01

[3]

半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P].

中岛一敬 ;

野尻祐二 ;

野口贵也 .

日本专利 :CN119069387A ,2024-12-03

[4]

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

藤田努 ;

杉沢佳史 .

中国专利 :CN104425334B ,2015-03-18

[5]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

古林爱 ;

桥本隆希 ;

郭彦廷 .

日本专利 :CN118448287A ,2024-08-06

[6]

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

山口欣秀 .

日本专利 :CN117918037A ,2024-04-23

[7]

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

田中阳子 .

中国专利 :CN103871863A ,2014-06-18

[8]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

上野隆二 ;

砂本昌利 .

中国专利 :CN110197799A ,2019-09-03

[9]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

柚木幸平 ;

野岛和弘 ;

丹羽惠一 ;

大野天颂 .

日本专利 :CN119601498A ,2025-03-11

[10]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

桥本幸太 .

日本专利 :CN120376488A ,2025-07-25

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