半导体制造装置及半导体装置的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411890042.7
申请日
2024-12-20
公开(公告)号
CN120376488A
公开(公告)日
2025-07-25
发明(设计)人
桥本幸太
申请人
三菱电机株式会社
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L21/683
IPC分类号
H01L21/687 H01L21/67 H01L21/324
代理机构
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
陈力奕;宋俊寅
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P]. 
中岛一敬 ;
野尻祐二 ;
野口贵也 .
日本专利 :CN119069387A ,2024-12-03
[2]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
古林爱 ;
桥本隆希 ;
郭彦廷 .
日本专利 :CN118448287A ,2024-08-06
[3]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
上野隆二 ;
砂本昌利 .
中国专利 :CN110197799A ,2019-09-03
[4]
半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
柚木幸平 ;
野岛和弘 ;
丹羽惠一 ;
大野天颂 .
日本专利 :CN119601498A ,2025-03-11
[5]
半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P]. 
藤田努 ;
杉沢佳史 .
中国专利 :CN104425334B ,2015-03-18
[6]
半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P]. 
山口欣秀 .
日本专利 :CN117918037A ,2024-04-23
[7]
半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P]. 
田中阳子 .
中国专利 :CN103871863A ,2014-06-18
[8]
半导体制造装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
久野美里 ;
野村典嗣 .
日本专利 :CN119480688A ,2025-02-18
[9]
半导体装置的制造方法和半导体制造装置 [P]. 
三井贵彦 ;
山本荣一 .
中国专利 :CN107866724A ,2018-04-03
[10]
半导体制造装置和半导体制造方法 [P]. 
森田朋岳 .
中国专利 :CN101202240A ,2008-06-18