半导体装置的制造方法及半导体制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580051562.8

申请日：

2005-09-13

公开(公告)号：

CN101263589A

公开(公告)日：

2008-09-10

发明(设计)人：

大见忠弘寺本章伸赤堀浩史

申请人：

申请人地址：

日本国宫城县

IPC主分类号：

H01L21677

IPC分类号：

H01L2102 H01L2978 B65G4900 B65G4907 H01L21316

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李贵亮

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101687163478 IPC(主分类):H01L 21/677 专利号:ZL2005800515628 申请日:20050913 授权公告日:20100825 终止日期:20150913
2008-09-10	公开	公开
2008-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-08-25	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体制造装置、使用半导体制造装置的半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

岩井贵雅 ;

铃木裕一郎 ;

白尾明稔 ;

小杉祥 ;

藤野纯司 .

中国专利 :CN114514599A ,2022-05-17

[2]

半导体制造装置、使用半导体制造装置的半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

岩井贵雅 ;

铃木裕一郎 ;

白尾明稔 ;

小杉祥 ;

藤野纯司 .

日本专利 :CN114514599B ,2025-05-13

[3]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

岩田亨 .

日本专利 :CN120048751A ,2025-05-27

[4]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

清水和宏 ;

秋山肇 ;

保田直纪 .

中国专利 :CN1921071B ,2007-02-28

[5]

半导体制造装置、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

财满健 .

日本专利 :CN119869845A ,2025-04-25

[6]

半导体制造方法、半导体制造装置以及半导体装置 [P].

太駄俊彦 ;

黑泽哲也 ;

福田昌利 .

中国专利 :CN110310903A ,2019-10-08

[7]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

铃木葵 .

中国专利 :CN115036234A ,2022-09-09

[8]

半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P].

中岛一敬 ;

野尻祐二 ;

野口贵也 .

日本专利 :CN119069387A ,2024-12-03

[9]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

饭森弘恭 .

日本专利 :CN112447551B ,2024-03-08

[10]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

原田佳幸 ;

财满康太郎 ;

羽生秀则 ;

片冈敬 .

中国专利 :CN105990190A ,2016-10-05

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