有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080015814.6

申请日：

2020-02-19

公开(公告)号：

CN113454800A

公开(公告)日：

2021-09-28

发明(设计)人：

竹谷纯一渡边峻一郎佐佐木真理牧田龙幸

申请人：

申请人地址：

日本国东京都文京区本乡七丁目3番1号

IPC主分类号：

H01L5140

IPC分类号：

H01L5105 H01L5130 H01L21336 H01L29786

代理机构：

北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444

代理人：

孙明;龚敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-28	公开	公开
2022-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/40 申请日:20200219

共 50 条

[1]

有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

渡边峻一郎 ;

佐佐木真理 ;

牧田龙幸 .

日本专利 :CN113454800B ,2024-12-20

[2]

有机半导体器件的制造方法 [P].

金渡桓 ;

姜文晟 ;

黄海重 ;

朴韩蔚 ;

伸智蕙 .

中国专利 :CN109643760A ,2019-04-16

[3]

有机半导体器件的制造方法 [P].

久保田纯 ;

小林本和 .

中国专利 :CN100355103C ,2004-08-18

[4]

有机半导体薄膜以及有机半导体单晶薄膜的制造方法 [P].

长谷川达生 ;

峰回洋美 ;

山田寿一 ;

松井弘之 .

中国专利 :CN103069555A ,2013-04-24

[5]

半导体膜、半导体膜的制造方法、半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

牧田直树 ;

岩井道记 ;

森野慎也 ;

堤隆之 .

中国专利 :CN100345309C ,2004-05-26

[6]

有机半导体器件及其制造方法 [P].

吉泽淳志 .

中国专利 :CN1669156A ,2005-09-14

[7]

有机半导体器件及其制造方法 [P].

劳伦斯·E·拉克 ;

史蒂文·M·沙伊弗尔斯 ;

张捷 ;

丹尼尔·R·格莫塔 ;

保罗·W·小布拉吉思 .

中国专利 :CN100349293C ,2005-04-20

[8]

有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江貴裕 ;

川島紀之 ;

高橋保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN1872836A ,2006-12-06

[9]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

幸康一郎 ;

斋藤彻 ;

久保实 ;

大仲清司 ;

浅井明 ;

片山幸治 .

中国专利 :CN1260595A ,2000-07-19

[10]

有机半导体器件和有机半导体薄膜 [P].

胜原真央 ;

鹈川彰人 ;

宫本佳洋 ;

国清敏幸 .

中国专利 :CN101326653B ,2008-12-17

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