有机半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03816762.X

申请日：

2003-07-10

公开(公告)号：

CN1669156A

公开(公告)日：

2005-09-14

发明(设计)人：

吉泽淳志

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2980

IPC分类号：

H01L21334 H01L5100

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王英

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2005-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-09-14	公开	公开

共 50 条

[1]

有机半导体器件及其制造方法 [P].

劳伦斯·E·拉克 ;

史蒂文·M·沙伊弗尔斯 ;

张捷 ;

丹尼尔·R·格莫塔 ;

保罗·W·小布拉吉思 .

中国专利 :CN100349293C ,2005-04-20

[2]

有机半导体器件的制造方法 [P].

久保田纯 ;

小林本和 .

中国专利 :CN100355103C ,2004-08-18

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口直 .

中国专利 :CN102479696A ,2012-05-30

[4]

有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

渡边峻一郎 ;

佐佐木真理 ;

牧田龙幸 .

中国专利 :CN113454800A ,2021-09-28

[5]

有机半导体器件及其制造工艺 [P].

荒井康行 ;

柴田典子 .

中国专利 :CN1398007A ,2003-02-19

[6]

有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

渡边峻一郎 ;

佐佐木真理 ;

牧田龙幸 .

日本专利 :CN113454800B ,2024-12-20

[7]

有机半导体器件及其制造方法 [P].

N·凯霍维尔塔 ;

T·穆斯通宁 ;

S·瓦伊迪耶纳森 ;

J-L·布尔迪 .

中国专利 :CN104039879A ,2014-09-10

[8]

有机半导体器件的制造方法 [P].

金渡桓 ;

姜文晟 ;

黄海重 ;

朴韩蔚 ;

伸智蕙 .

中国专利 :CN109643760A ,2019-04-16

[9]

有机半导体器件 [P].

史蒂文·M·谢伊弗斯 ;

丹尼尔·R·加莫塔 ;

小保罗·W·布拉齐斯 ;

张婕 ;

劳伦斯·E·拉克 .

中国专利 :CN100477310C ,2005-05-11

[10]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

佐藤浩 .

中国专利 :CN101796645B ,2010-08-04

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