有机半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02825896.7

申请日：

2002-11-25

公开(公告)号：

CN100349293C

公开(公告)日：

2005-04-20

发明(设计)人：

劳伦斯·E·拉克史蒂文·M·沙伊弗尔斯张捷丹尼尔·R·格莫塔保罗·W·小布拉吉思

申请人：

申请人地址：

美国伊利诺斯州

IPC主分类号：

H01L2700

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

黄启行;谢丽娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-04-20	公开	公开
2011-08-03	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101120090034 IPC(主分类):H01L 27/00 专利号:ZL028258967 变更事项:专利权人变更前:摩托罗拉公司变更后:摩托罗拉解决方案公司变更事项:地址变更前:美国伊利诺斯州变更后:美国伊利诺伊州
2014-01-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101562570438 IPC(主分类):H01L 27/00 专利号:ZL028258967 申请日:20021125 授权公告日:20071114 终止日期:20121125
2007-11-14	授权	授权

共 50 条

[1]

有机半导体器件 [P].

史蒂文·M·谢伊弗斯 ;

丹尼尔·R·加莫塔 ;

小保罗·W·布拉齐斯 ;

张婕 ;

劳伦斯·E·拉克 .

中国专利 :CN100477310C ,2005-05-11

[2]

有机半导体器件及其制造方法 [P].

吉泽淳志 .

中国专利 :CN1669156A ,2005-09-14

[3]

有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江貴裕 ;

川島紀之 ;

高橋保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN1872836A ,2006-12-06

[4]

有机半导体器件和有机半导体薄膜 [P].

胜原真央 ;

鹈川彰人 ;

宫本佳洋 ;

国清敏幸 .

中国专利 :CN101326653B ,2008-12-17

[5]

电子器件及其制造方法、和半导体器件及其制造方法 [P].

福田敏生 ;

川岛纪之 .

中国专利 :CN102386328A ,2012-03-21

[6]

有机半导体薄膜的形成方法、以及使用该方法的有机半导体器件及其制造方法 [P].

酒井正俊 ;

工藤一浩 ;

贞光雄一 .

中国专利 :CN106796987B ,2017-05-31

[7]

有机半导体器件制造用组合物 [P].

铃木阳二 ;

横尾健 ;

赤井泰之 ;

竹谷纯一 .

中国专利 :CN108475728A ,2018-08-31

[8]

有机半导体器件制造用组合物 [P].

横尾健 ;

铃木阳二 ;

赤井泰之 .

中国专利 :CN109314186A ,2019-02-05

[9]

有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

渡边峻一郎 ;

佐佐木真理 ;

牧田龙幸 .

中国专利 :CN113454800A ,2021-09-28

[10]

有机半导体器件及其制造工艺 [P].

荒井康行 ;

柴田典子 .

中国专利 :CN1398007A ,2003-02-19

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