电子器件及其制造方法、和半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110238715.7

申请日：

2011-08-18

公开(公告)号：

CN102386328A

公开(公告)日：

2012-03-21

发明(设计)人：

福田敏生川岛纪之

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L5100

IPC分类号：

H01L5130 H01L5110

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

贾静环

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-21	公开	公开
2013-08-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101507722112 IPC(主分类):H01L 51/00 专利申请号:2011102387157 申请日:20110818
2016-03-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101729913915 IPC(主分类):H01L 51/00 专利申请号:2011102387157 申请公布日:20120321

共 50 条

[1]

电子器件和半导体器件的制造方法 [P].

胜原真央 .

中国专利 :CN102867914A ,2013-01-09

[2]

电子器件、半导体器件及其制造方法 [P].

前川慎志 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN1819273A ,2006-08-16

[3]

电子器件、半导体器件及其制造方法 [P].

前川慎志 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN103730513A ,2014-04-16

[4]

电子器件、半导体器件及其制造方法 [P].

前川慎志 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN101442059B ,2009-05-27

[5]

电子器件、半导体器件及其制造方法 [P].

前川慎志 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN101477990A ,2009-07-08

[6]

半导体元件及其制造方法以及电子器件及其制造方法 [P].

美浓规央 ;

竹内孝之 ;

北冈康夫 .

中国专利 :CN101461047B ,2009-06-17

[7]

半导体器件及其制造方法、半导体模块和电子器件 [P].

田仲清久 .

中国专利 :CN107148672A ,2017-09-08

[8]

电子器件及其制造方法 [P].

S·塞塔耶斯 ;

D·M·德里尤 ;

M·布伊彻 ;

T·D·安托波洛斯 ;

W·P·M·尼斯森 ;

E·J·梅杰 .

中国专利 :CN1742393A ,2006-03-01

[9]

光学半导体器件及其制造方法和电子器件 [P].

冈顺治 .

中国专利 :CN1832170A ,2006-09-13

[10]

制造半导体器件和电子器件的方法 [P].

殷立钊 ;

林鸿彬 ;

吴欣贤 ;

柯志明 ;

陈其贤 ;

罗明华 .

中国专利 :CN113130319B ,2024-09-17

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