电子器件、半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810186809.2

申请日：

2006-01-28

公开(公告)号：

CN101477990A

公开(公告)日：

2009-07-08

发明(设计)人：

前川慎志桑原秀明

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L29786 H01L2912 H01L2924 H01L29417 H01L2732 H01L2715 H01L2184 H01L21336 G02F11362

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

韦欣华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-08	公开	公开
2013-08-21	授权	授权
2009-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

电子器件、半导体器件及其制造方法 [P].

前川慎志 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN1819273A ,2006-08-16

[2]

电子器件、半导体器件及其制造方法 [P].

前川慎志 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN103730513A ,2014-04-16

[3]

电子器件、半导体器件及其制造方法 [P].

前川慎志 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN101442059B ,2009-05-27

[4]

半导体器件、半导体器件的制造方法及电子器件 [P].

丁力栋 ;

徐琳 ;

孙晓琦 ;

晏国文 ;

王德坚 ;

陈发祥 .

中国专利 :CN120390432A ,2025-07-29

[5]

半导体器件、半导体器件制造方法以及电子器件 [P].

今纯一 .

中国专利 :CN103165556B ,2013-06-19

[6]

半导体器件及其制造方法、半导体模块和电子器件 [P].

田仲清久 .

中国专利 :CN107148672A ,2017-09-08

[7]

半导体器件、包含半导体器件的电子器件以及其制造方法 [P].

黄冠育 ;

黄松辉 ;

侯上勇 .

中国专利 :CN112713131A ,2021-04-27

[8]

半导体器件、包含半导体器件的电子器件以及其制造方法 [P].

黄冠育 ;

黄松辉 ;

侯上勇 .

中国专利 :CN112713131B ,2025-03-07

[9]

电子器件及其制造方法、和半导体器件及其制造方法 [P].

福田敏生 ;

川岛纪之 .

中国专利 :CN102386328A ,2012-03-21

[10]

半导体器件及电子器件 [P].

宋继越 ;

艾飞 ;

宋德伟 .

中国专利 :CN115498043A ,2022-12-20

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