半导体器件、半导体器件制造方法以及电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210410626.0

申请日：

2012-10-24

公开(公告)号：

CN103165556B

公开(公告)日：

2013-06-19

发明(设计)人：

今纯一

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L2331 H01L2336 H01L2160 H01L2156

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;全万志

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-02	授权	授权
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101494128593 IPC(主分类):H01L 23/488 专利申请号:2012104106260 申请日:20121024
2013-06-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法 [P].

清水浩三 ;

作山诚树 ;

赤松俊也 .

中国专利 :CN103123916B ,2013-05-29

[2]

半导体器件、半导体器件的制造方法及电子器件 [P].

丁力栋 ;

徐琳 ;

孙晓琦 ;

晏国文 ;

王德坚 ;

陈发祥 .

中国专利 :CN120390432A ,2025-07-29

[3]

半导体器件、包含半导体器件的电子器件以及其制造方法 [P].

黄冠育 ;

黄松辉 ;

侯上勇 .

中国专利 :CN112713131A ,2021-04-27

[4]

半导体器件、包含半导体器件的电子器件以及其制造方法 [P].

黄冠育 ;

黄松辉 ;

侯上勇 .

中国专利 :CN112713131B ,2025-03-07

[5]

半导体结构和半导体器件以及电子器件 [P].

周绍珂 ;

余仁旭 ;

李庆 .

中国专利 :CN222674849U ,2025-03-25

[6]

半导体芯片、半导体器件以及电子器件 [P].

福地一博 .

中国专利 :CN108028234A ,2018-05-11

[7]

电子器件以及半导体器件 [P].

S·拉斯库纳 ;

P·巴达拉 ;

A·巴西 ;

G·贝洛基 .

中国专利 :CN215220656U ,2021-12-17

[8]

电子器件、半导体器件以及制造电子器件的方法 [P].

张凯峯 ;

蔡连尧 ;

牛宝华 ;

邓伊筌 ;

施启元 .

中国专利 :CN110649157B ,2020-01-03

[9]

半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法 [P].

野本隆司 ;

米田义之 ;

中村公一 .

中国专利 :CN103390612B ,2013-11-13

[10]

电子器件、半导体器件及其制造方法 [P].

前川慎志 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN1819273A ,2006-08-16

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