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电子器件以及半导体器件
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202120783195.7
申请日
:
2021-04-16
公开(公告)号
:
CN215220656U
公开(公告)日
:
2021-12-17
发明(设计)人
:
S·拉斯库纳
P·巴达拉
A·巴西
G·贝洛基
申请人
:
申请人地址
:
意大利阿格拉布里安扎
IPC主分类号
:
H01L21329
IPC分类号
:
H01L29872
H01L2906
H01L2916
H01L2945
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
董莘
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-12-17
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体芯片、半导体器件以及电子器件
[P].
福地一博
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0
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福地一博
.
中国专利
:CN108028234A
,2018-05-11
[2]
半导体器件、半导体器件制造方法以及电子器件
[P].
今纯一
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今纯一
.
中国专利
:CN103165556B
,2013-06-19
[3]
半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法
[P].
清水浩三
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清水浩三
;
作山诚树
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作山诚树
;
赤松俊也
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赤松俊也
.
中国专利
:CN103123916B
,2013-05-29
[4]
半导体器件和电子器件
[P].
武藤晃
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武藤晃
;
小池信也
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小池信也
;
小辻雅挥
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小辻雅挥
;
成田幸弘
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成田幸弘
.
中国专利
:CN110299341A
,2019-10-01
[5]
半导体器件和电子器件
[P].
武藤晃
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武藤晃
;
小池信也
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小池信也
;
小辻雅挥
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小辻雅挥
;
成田幸弘
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成田幸弘
.
中国专利
:CN104241259A
,2014-12-24
[6]
半导体结构和半导体器件以及电子器件
[P].
周绍珂
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机构:
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
周绍珂
;
余仁旭
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机构:
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
余仁旭
;
李庆
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机构:
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
李庆
.
中国专利
:CN222674849U
,2025-03-25
[7]
电子器件、半导体器件以及制造电子器件的方法
[P].
张凯峯
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张凯峯
;
蔡连尧
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蔡连尧
;
牛宝华
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牛宝华
;
邓伊筌
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邓伊筌
;
施启元
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施启元
.
中国专利
:CN110649157B
,2020-01-03
[8]
半导体器件以及具有该半导体器件的电子器件
[P].
铃木幸惠
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铃木幸惠
;
荒井康行
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荒井康行
;
山崎舜平
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山崎舜平
.
中国专利
:CN101142715B
,2008-03-12
[9]
半导体器件及电子器件
[P].
宋继越
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宋继越
;
艾飞
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艾飞
;
宋德伟
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宋德伟
.
中国专利
:CN115498043A
,2022-12-20
[10]
半导体器件和电子器件
[P].
岩田纯
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岩田纯
;
谷口章二
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谷口章二
;
黑岩功一
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黑岩功一
;
山田良和
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山田良和
.
中国专利
:CN1224883C
,2003-08-20
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