半导体器件、半导体器件的制造方法及电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410098794.3

申请日：

2024-01-24

公开(公告)号：

CN120390432A

公开(公告)日：

2025-07-29

发明(设计)人：

丁力栋徐琳孙晓琦晏国文王德坚陈发祥

申请人：

云谷（固安）科技有限公司合肥维信诺科技有限公司

申请人地址：

065500 河北省廊坊市固安县新兴产业示范区

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

H10D62/17 H10D30/01

代理机构：

成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310

代理人：

陈万艺

法律状态：

公开

国省代码：

河北省廊坊市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-29	公开	公开
2025-08-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/67申请日:20240124

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体器件制造方法以及电子器件 [P].

今纯一 .

中国专利 :CN103165556B ,2013-06-19

[2]

半导体器件及电子器件 [P].

宋继越 ;

艾飞 ;

宋德伟 .

中国专利 :CN115498043A ,2022-12-20

[3]

半导体器件及电子器件 [P].

宋继越 ;

艾飞 ;

宋德伟 .

中国专利 :CN115498043B ,2025-10-28

[4]

电子器件、半导体器件及其制造方法 [P].

前川慎志 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN1819273A ,2006-08-16

[5]

电子器件、半导体器件及其制造方法 [P].

前川慎志 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN103730513A ,2014-04-16

[6]

电子器件、半导体器件及其制造方法 [P].

前川慎志 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN101442059B ,2009-05-27

[7]

电子器件、半导体器件及其制造方法 [P].

前川慎志 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN101477990A ,2009-07-08

[8]

半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法 [P].

清水浩三 ;

作山诚树 ;

赤松俊也 .

中国专利 :CN103123916B ,2013-05-29

[9]

半导体器件及电子器件 [P].

熊文慧 ;

李壮 ;

张春鹏 ;

艾飞 .

中国专利 :CN118248697A ,2024-06-25

[10]

半导体器件、包含半导体器件的电子器件以及其制造方法 [P].

黄冠育 ;

黄松辉 ;

侯上勇 .

中国专利 :CN112713131A ,2021-04-27

← 1 2 3 4 5 →