有机半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780052766.6

申请日：

2017-06-26

公开(公告)号：

CN109643760A

公开(公告)日：

2019-04-16

发明(设计)人：

金渡桓姜文晟黄海重朴韩蔚伸智蕙

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

H01L5100 C08K556 H01L2102

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;宋东颖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/05 申请日:20170626
2019-04-16	公开	公开

共 50 条

[1]

有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

渡边峻一郎 ;

佐佐木真理 ;

牧田龙幸 .

中国专利 :CN113454800A ,2021-09-28

[2]

有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

渡边峻一郎 ;

佐佐木真理 ;

牧田龙幸 .

日本专利 :CN113454800B ,2024-12-20

[3]

有机半导体器件的制造方法 [P].

久保田纯 ;

小林本和 .

中国专利 :CN100355103C ,2004-08-18

[4]

有机半导体器件及其制造方法 [P].

吉泽淳志 .

中国专利 :CN1669156A ,2005-09-14

[5]

有机半导体器件及其制造方法 [P].

劳伦斯·E·拉克 ;

史蒂文·M·沙伊弗尔斯 ;

张捷 ;

丹尼尔·R·格莫塔 ;

保罗·W·小布拉吉思 .

中国专利 :CN100349293C ,2005-04-20

[6]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

佐藤浩 .

中国专利 :CN101796645B ,2010-08-04

[7]

有机半导体器件和其制造方法 [P].

平形吉晴 ;

石谷哲二 ;

深井修次 ;

今林良太 .

中国专利 :CN101916826B ,2010-12-15

[8]

有机半导体器件和其制造方法 [P].

平形吉晴 ;

石谷哲二 ;

深井修次 ;

今林良太 .

中国专利 :CN1797807A ,2006-07-05

[9]

有机半导体器件及其制造工艺 [P].

荒井康行 ;

柴田典子 .

中国专利 :CN1398007A ,2003-02-19

[10]

有机薄膜半导体器件的制造方法 [P].

L·S·罗曼 ;

O·因加奈斯 ;

O·哈格尔 ;

M·贝里格伦 ;

G·古斯塔夫松 ;

J·卡尔松 .

中国专利 :CN1348606A ,2002-05-08

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