学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

有机半导体器件的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN03800529.8
申请日：
2003-02-04
公开(公告)号：
CN100355103C
公开(公告)日：
2004-08-18
发明(设计)人：
久保田纯 小林本和
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H01L5140
IPC分类号：
代理机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：
王永刚
法律状态：
授权
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2007-12-12 授权 授权
2004-10-27 实质审查的生效 实质审查的生效
2015-04-01 专利权的终止 未缴年费专利权终止 号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101603734491 IPC(主分类):H01L 51/40 专利号:ZL038005298 申请日:20030204 授权公告日:20071212 终止日期:20140204
2004-08-18 公开 公开
共 50 条
[1]
有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法 [P]. 
竹谷纯一 ;
渡边峻一郎 ;
佐佐木真理 ;
牧田龙幸 .
中国专利 :CN113454800A ,2021-09-28
[2]
有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法 [P]. 
竹谷纯一 ;
渡边峻一郎 ;
佐佐木真理 ;
牧田龙幸 .
日本专利 :CN113454800B ,2024-12-20
[3]
有机薄膜半导体器件的制造方法 [P]. 
L·S·罗曼 ;
O·因加奈斯 ;
O·哈格尔 ;
M·贝里格伦 ;
G·古斯塔夫松 ;
J·卡尔松 .
中国专利 :CN1348606A ,2002-05-08
[4]
有机半导体器件及其制造方法 [P]. 
N·凯霍维尔塔 ;
T·穆斯通宁 ;
S·瓦伊迪耶纳森 ;
J-L·布尔迪 .
中国专利 :CN104039879A ,2014-09-10
[5]
有机半导体器件及其制造方法 [P]. 
吉泽淳志 .
中国专利 :CN1669156A ,2005-09-14
[6]
有机半导体器件的制造方法 [P]. 
金渡桓 ;
姜文晟 ;
黄海重 ;
朴韩蔚 ;
伸智蕙 .
中国专利 :CN109643760A ,2019-04-16
[7]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
佐藤浩 .
中国专利 :CN101796645B ,2010-08-04
[8]
有机半导体器件及其制造方法 [P]. 
劳伦斯·E·拉克 ;
史蒂文·M·沙伊弗尔斯 ;
张捷 ;
丹尼尔·R·格莫塔 ;
保罗·W·小布拉吉思 .
中国专利 :CN100349293C ,2005-04-20
[9]
有机半导体器件 [P]. 
史蒂文·M·谢伊弗斯 ;
丹尼尔·R·加莫塔 ;
小保罗·W·布拉齐斯 ;
张婕 ;
劳伦斯·E·拉克 .
中国专利 :CN100477310C ,2005-05-11
[10]
有机半导体器件的制备方法 [P]. 
陈黎暄 .
中国专利 :CN109166968A ,2019-01-08
12345