制造单晶或多晶半导体材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810184099.X

申请日：

2008-12-17

公开(公告)号：

CN101463497A

公开(公告)日：

2009-06-24

发明(设计)人：

乌韦·萨赫尔马蒂亚斯·米勒英戈·施维利希弗兰克-托马斯·伦特斯弗兰克·比勒斯费尔德

申请人：

申请人地址：

德国美茵茨

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

刘国伟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-24	公开	公开
2011-09-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101181909563 IPC(主分类):C30B 11/00 专利申请号:200810184099X 公开日:20090624

共 50 条

[1]

单晶半导体材料的制造 [P].

U·克拉特 ;

C·施密德 ;

J·哈恩 .

中国专利 :CN102947025A ,2013-02-27

[2]

用于制造半导体材料的单晶的方法 [P].

W·V·阿蒙 ;

L·阿尔特曼绍夫尔 ;

H·里曼 ;

J·菲舍尔 .

中国专利 :CN101649485B ,2010-02-17

[3]

制造半导体单晶装置 [P].

神尾宽 ;

中冈一秀 ;

荒木健治 ;

村上胜彦 ;

风间彰 ;

堀江重豪 .

中国专利 :CN87101952A ,1987-09-23

[4]

制造半导体单晶的方法 [P].

樱田隆 ;

川濑智博 ;

羽木良明 .

中国专利 :CN102859050B ,2013-01-02

[5]

制造多晶半导体的方法和装置 [P].

奥野哲启 .

中国专利 :CN1204704A ,1999-01-13

[6]

多晶半导体薄膜的制造方法 [P].

奥村展 .

中国专利 :CN101431016B ,2009-05-13

[7]

多晶半导体层的制造方法 [P].

吴政宪 .

中国专利 :CN112397373A ,2021-02-23

[8]

半导体材料的单晶生长装置 [P].

汤勇 .

中国专利 :CN222648176U ,2025-03-21

[9]

晶体半导体材料的制造方法以及制造半导体器件的方法 [P].

平贺透 ;

野口隆 ;

碓井节夫 ;

森芳文 .

中国专利 :CN1341954A ,2002-03-27

[10]

半导体材料或导体材料的制备方法及其用途 [P].

M·洛赫 ;

冯新良 ;

盛扬 .

中国专利 :CN110621809B ,2019-12-27

← 1 2 3 4 5 →