制造多晶半导体的方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98115917.6

申请日：

1998-07-02

公开(公告)号：

CN1204704A

公开(公告)日：

1999-01-13

发明(设计)人：

奥野哲启

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

B22D900

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

白益华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-01-13	公开	公开
2003-07-23	授权	授权
1998-12-23	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2015-08-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101622494843 IPC(主分类):C30B 11/00 专利号:ZL981159176 申请日:19980702 授权公告日:20030723 终止日期:20140702

共 50 条

[1]

多晶半导体层的制造方法 [P].

吴政宪 .

中国专利 :CN112397373A ,2021-02-23

[2]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

矶部敦生 ;

山崎舜平 ;

小久保千穗 ;

田中幸一郎 ;

下村明久 ;

荒尾达也 ;

宫入秀和 .

中国专利 :CN101110437B ,2008-01-23

[3]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

矶部敦生 ;

山崎舜平 ;

小久保千穗 ;

田中幸一郎 ;

下村明久 ;

荒尾达也 ;

宫入秀和 .

中国专利 :CN100342551C ,2003-08-13

[4]

低温多晶半导体装置及其制造方法 [P].

洪瑛 .

中国专利 :CN111902930A ,2020-11-06

[5]

低温多晶半导体装置及其制造方法 [P].

洪瑛 .

中国专利 :CN111902930B ,2024-11-26

[6]

多晶半导体薄膜的制造方法 [P].

奥村展 .

中国专利 :CN101431016B ,2009-05-13

[7]

制造单晶或多晶半导体材料的方法 [P].

乌韦·萨赫尔 ;

马蒂亚斯·米勒 ;

英戈·施维利希 ;

弗兰克-托马斯·伦特斯 ;

弗兰克·比勒斯费尔德 .

中国专利 :CN101463497A ,2009-06-24

[8]

多晶半导体膜制造方法及其装置和图像显示面板 [P].

武田一男 ;

佐藤健史 ;

后藤顺 ;

斋藤雅和 ;

武藤大祐 .

中国专利 :CN1674229A ,2005-09-28

[9]

用于制造掺杂的多晶半导体层的方法 [P].

C.马德 ;

O.旺尼克 ;

S.马滕斯 ;

J.莱姆库尔 ;

C.金特 .

中国专利 :CN107004570A ,2017-08-01

[10]

半导体装置，半导体装置的制造方法，半导体基板，和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN102239549B ,2011-11-09

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