低温多晶半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980021419.6

申请日：

2019-03-05

公开(公告)号：

CN111902930B

公开(公告)日：

2024-11-26

发明(设计)人：

洪瑛

申请人：

洪瑛

申请人地址：

110036 辽宁省沈阳市皇姑区黄浦江街21号1-12-3

IPC主分类号：

H01L21/8238

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/324

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

何冲

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-26	授权	授权

共 50 条

[1]

低温多晶半导体装置及其制造方法 [P].

洪瑛 .

中国专利 :CN111902930A ,2020-11-06

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

菊池克 ;

山道新太郎 ;

村井秀哉 ;

前田胜美 ;

船矢琢央 ;

森健太郎 ;

前田武彦 ;

川野连也 ;

萱岛祐治 .

中国专利 :CN101536181B ,2009-09-16

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

陈建桦 ;

李德章 ;

张勇舜 ;

李宝男 .

中国专利 :CN105226045B ,2016-01-06

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

石田贵士 ;

杉本尚丈 ;

菅野裕士 ;

冈本达也 .

中国专利 :CN111063689A ,2020-04-24

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

闵宣基 ;

金松伊 ;

柳庚玟 ;

柳齐民 .

中国专利 :CN108336025A ,2018-07-27

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

牛久幸広 .

中国专利 :CN1249816C ,2001-05-30

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

寺本聪 ;

小山润 ;

尾形靖 ;

早川昌彦 ;

纳光明 ;

大谷久 ;

滨谷敏次 .

中国专利 :CN1901205B ,2007-01-24

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

本城广 .

中国专利 :CN102487051A ,2012-06-06

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

松下大介 ;

三谷祐一郎 .

中国专利 :CN101494172B ,2009-07-29

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

闵宣基 ;

金松伊 ;

柳庚玟 ;

柳齐民 .

韩国专利 :CN108336025B ,2024-03-08

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