半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810043583.4

申请日：

2018-01-17

公开(公告)号：

CN108336025B

公开(公告)日：

2024-03-08

发明(设计)人：

闵宣基金松伊柳庚玟柳齐民

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21/8238

IPC分类号：

H01L27/092

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

张帆;张青

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

闵宣基 ;

金松伊 ;

柳庚玟 ;

柳齐民 .

中国专利 :CN108336025A ,2018-07-27

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

菊池克 ;

山道新太郎 ;

村井秀哉 ;

前田胜美 ;

船矢琢央 ;

森健太郎 ;

前田武彦 ;

川野连也 ;

萱岛祐治 .

中国专利 :CN101536181B ,2009-09-16

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

本城广 .

中国专利 :CN102487051A ,2012-06-06

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

韩允哲 .

韩国专利 :CN119943681A ,2025-05-06

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

池元义彦 ;

井上广司 ;

石堂仁则 ;

松原宽明 ;

今泉有加里 .

中国专利 :CN105304580A ,2016-02-03

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

中尾雄一 ;

太田直男 .

中国专利 :CN102822958A ,2012-12-12

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

王人焱 ;

徐伟 ;

吴智鹏 ;

尹航 ;

孙超 .

中国专利 :CN120321946A ,2025-07-15

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

根岸哲 ;

久我正一 .

中国专利 :CN109155293A ,2019-01-04

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

八木良太郎 ;

中尾雄一 ;

西村勇 .

中国专利 :CN101221990A ,2008-07-16

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

高桥笃史 ;

吉水康人 .

中国专利 :CN107302002A ,2017-10-27

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