半导体装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201180015812.8
申请日
2011-04-01
公开(公告)号
CN102822958A
公开(公告)日
2012-12-12
发明(设计)人
中尾雄一 太田直男
申请人
申请人地址
日本京都府
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L213205 H01L2352 H01L23522
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
刘建
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
野间淳史 ;
中尾圭策 ;
上本康裕 .
中国专利 :CN1278108A ,2000-12-27
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
王文生 .
中国专利 :CN101151729A ,2008-03-26
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
宍田佳谦 ;
隣真一 ;
八木良太郎 .
中国专利 :CN101030561A ,2007-09-05
[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
野村洋治 .
中国专利 :CN101026173B ,2007-08-29
[5]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
半田崇登 ;
海本博之 ;
上田哲也 .
中国专利 :CN1314102C ,2005-03-16
[6]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
长野能久 ;
久都内知惠 .
中国专利 :CN1532892A ,2004-09-29
[7]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
中村理 .
中国专利 :CN100552893C ,2006-04-26
[8]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
王文生 .
中国专利 :CN101702408A ,2010-05-05
[9]
半导体装置和半导体装置的制造方法 [P]. 
齐藤贵翁 ;
金子诚二 ;
神崎庸辅 ;
高丸泰 ;
井手启介 ;
松尾拓哉 .
中国专利 :CN106605295A ,2017-04-26
[10]
半导体装置制造方法 [P]. 
山田哲也 ;
野村洋治 .
中国专利 :CN101034684A ,2007-09-12