半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710008024.1

申请日：

2007-02-05

公开(公告)号：

CN101026173B

公开(公告)日：

2007-08-29

发明(设计)人：

野村洋治

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号

IPC主分类号：

H01L2714

IPC分类号：

H01L2300 H01L23522 H01L21822 H01L21768 H01L21318

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李香兰

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/14 申请日:20070205 授权公告日:20110615 终止日期:20220205
2011-06-15	授权	授权
2007-10-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-08-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置制造方法 [P].

山田哲也 ;

野村洋治 .

中国专利 :CN101034684A ,2007-09-12

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

半田崇登 ;

海本博之 ;

上田哲也 .

中国专利 :CN1314102C ,2005-03-16

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

中尾雄一 ;

太田直男 .

中国专利 :CN102822958A ,2012-12-12

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101151729A ,2008-03-26

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

宍田佳谦 ;

隣真一 ;

八木良太郎 .

中国专利 :CN101030561A ,2007-09-05

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

久都内知惠 .

中国专利 :CN1225793C ,2004-01-21

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

赤尾真哉 .

中国专利 :CN105720103A ,2016-06-29

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

茂庭昌弘 ;

新田文彦 ;

松冈正道 ;

饭田里志 .

中国专利 :CN101447501B ,2009-06-03

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

藤农佑树 ;

可知刚 ;

宫下桂 ;

佐藤慎吾 .

日本专利 :CN117747660A ,2024-03-22

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

林正浩 ;

椎野刚 .

中国专利 :CN101572225B ,2009-11-04

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