半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710084220.7

申请日：

2007-02-27

公开(公告)号：

CN101030561A

公开(公告)日：

2007-09-05

发明(设计)人：

宍田佳谦隣真一八木良太郎

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号

IPC主分类号：

H01L2300

IPC分类号：

H01L23532 H01L2100 H01L21768

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李贵亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-07-11	授权	授权
2013-09-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101662373361 IPC(主分类):H01L 23/00 专利号:ZL2007100842207 变更事项:专利权人变更前权利人:三洋电机株式会社变更后权利人:三洋电机株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本国大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号变更后权利人:日本国大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号变更事项:专利权人变更前权利人:日本电气株式会社;罗姆股份有限公司变更后权利人:日本电气株式会社登记生效日:20130904
2007-09-05	公开	公开
2015-04-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101605904379 IPC(主分类):H01L 23/00 专利号:ZL2007100842207 申请日:20070227 授权公告日:20120711 终止日期:20140227

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

中尾雄一 ;

太田直男 .

中国专利 :CN102822958A ,2012-12-12

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

野间淳史 ;

中尾圭策 ;

上本康裕 .

中国专利 :CN1278108A ,2000-12-27

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101151729A ,2008-03-26

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

野村洋治 .

中国专利 :CN101026173B ,2007-08-29

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

久都内知惠 .

中国专利 :CN1225793C ,2004-01-21

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

赤尾真哉 .

中国专利 :CN105720103A ,2016-06-29

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

茂庭昌弘 ;

新田文彦 ;

松冈正道 ;

饭田里志 .

中国专利 :CN101447501B ,2009-06-03

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

藤农佑树 ;

可知刚 ;

宫下桂 ;

佐藤慎吾 .

日本专利 :CN117747660A ,2024-03-22

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

林正浩 ;

椎野刚 .

中国专利 :CN101572225B ,2009-11-04

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

竹村康司 ;

平野博茂 ;

伊藤丰 ;

佐野光 ;

小池功二 .

中国专利 :CN102324419A ,2012-01-18

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