半导体装置及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN00109004.6
申请日
2000-06-01
公开(公告)号
CN1278108A
公开(公告)日
2000-12-27
发明(设计)人
野间淳史 中尾圭策 上本康裕
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01L2704
IPC分类号
H01L27105 H01L218239
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司
代理人
汪惠民
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
王文生 .
中国专利 :CN101151729A ,2008-03-26
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
王文生 .
中国专利 :CN101702408A ,2010-05-05
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
久都内知惠 .
中国专利 :CN1225793C ,2004-01-21
[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
高木刚 .
中国专利 :CN1695254A ,2005-11-09
[5]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
西川孝司 ;
大塚隆 .
中国专利 :CN1643679A ,2005-07-20
[6]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
藤农佑树 ;
横山升 ;
奥村秀树 .
中国专利 :CN108962993B ,2018-12-07
[7]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
佐次田直也 ;
横田龙也 .
中国专利 :CN1926687B ,2007-03-07
[8]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
三河巧 ;
藤井英治 .
中国专利 :CN1610117A ,2005-04-27
[9]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
长野能久 ;
上本康裕 .
中国专利 :CN1275808A ,2000-12-06
[10]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
安藤直人 .
中国专利 :CN106972059B ,2017-07-21