半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910221733.7

申请日：

2005-03-30

公开(公告)号：

CN101702408A

公开(公告)日：

2010-05-05

发明(设计)人：

王文生

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L23532 H01L218247 H01L21768

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

向勇;浦柏明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-05	公开	公开
2012-02-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101275121794 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2009102217337 公开日:20100505
2010-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003220418 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2009102217337 申请日:20050330

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101151729A ,2008-03-26

[2]

半导体装置的制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101203957B ,2008-06-18

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

野间淳史 ;

中尾圭策 ;

上本康裕 .

中国专利 :CN1278108A ,2000-12-27

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

久都内知惠 .

中国专利 :CN1225793C ,2004-01-21

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN100421236C ,2007-02-21

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

佐次田直也 ;

横田龙也 .

中国专利 :CN1926687B ,2007-03-07

[7]

半导体装置制造方法及其半导体装置 [P].

矢野尚 ;

林慎一郎 .

中国专利 :CN1638060A ,2005-07-13

[8]

半导体装置及其制造方法、电子装置 [P].

佐佐木直人 ;

田野启介 ;

田中启史 ;

前原正孝 ;

古桥隆寿 .

日本专利 :CN119732205A ,2025-03-28

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101627470A ,2010-01-13

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

和泉宇俊 .

中国专利 :CN1954430B ,2007-04-25

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