半导体装置的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200580050170.X
申请日
2005-06-17
公开(公告)号
CN101203957B
公开(公告)日
2008-06-18
发明(设计)人
王文生
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H01L27105
IPC分类号
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
丁香兰;李建忠
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
王文生 .
中国专利 :CN101151729A ,2008-03-26
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
王文生 .
中国专利 :CN101702408A ,2010-05-05
[3]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
洼内源宜 ;
下沢慎 ;
吉村尚 .
日本专利 :CN118435357A ,2024-08-02
[4]
半导体装置的制造方法 [P]. 
洼内源宜 ;
下沢慎 ;
吉村尚 .
日本专利 :CN118369758A ,2024-07-19
[5]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中川良辅 ;
中尾雄一 .
中国专利 :CN102165576A ,2011-08-24
[6]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
高桥彻雄 .
日本专利 :CN120435034A ,2025-08-05
[7]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
伊藤祥代 .
中国专利 :CN104064523A ,2014-09-24
[8]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
森塚翼 ;
白石正树 ;
古川智康 .
日本专利 :CN120898533A ,2025-11-04
[9]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
原田刚史 ;
柴田润一 ;
植木彰 .
中国专利 :CN101582411B ,2009-11-18
[10]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
须泽孝昭 ;
远藤诚 ;
下沢慎 .
日本专利 :CN118116959A ,2024-05-31