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半导体装置及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200810178685.3
申请日：
2008-11-27
公开(公告)号：
CN101447501B
公开(公告)日：
2009-06-03
发明(设计)人：
茂庭昌弘
新田文彦
松冈正道
饭田里志
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号：
H01L2724
IPC分类号：
H01L23522
H01L21822
H01L21768
G11C1602
G11C1156
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：
闫小龙;王小衡
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2015-01-07 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101594994185 IPC(主分类):H01L 27/24 专利号:ZL2008101786853 申请日:20081127 授权公告日:20121010 终止日期:20131127 |
| 2009-06-03 | 公开 | 公开 |
| 2012-10-10 | 授权 | 授权 |
| 2011-01-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101031126909 IPC(主分类):H01L 27/24 专利申请号:2008101786853 申请日:20081127 |
| 2010-11-10 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101038388848 IPC(主分类):H01L 27/24 专利申请号:2008101786853 变更事项:申请人 变更前权利人:株式会社瑞萨科技 变更后权利人:瑞萨电子株式会社 变更事项:地址 变更前权利人:日本东京都 变更后权利人:日本神奈川县川崎市 登记生效日:20100925 |