半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710112263.1

申请日：

2007-06-29

公开(公告)号：

CN101097963B

公开(公告)日：

2008-01-02

发明(设计)人：

盐野入丰王丸拓郎

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L29417 H01L2712 H01L23522 H01L21336 H01L2128 H01L2184 H01L21768

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

王永刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-02	公开	公开
2009-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-06-09	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

乡户宏充 .

中国专利 :CN101034719A ,2007-09-12

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

牧田直树 .

中国专利 :CN101663758B ,2010-03-03

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

秋元健吾 .

中国专利 :CN102136482A ,2011-07-27

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

古野诚 .

中国专利 :CN101369604A ,2009-02-18

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

牧田直树 .

中国专利 :CN1510762A ,2004-07-07

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

池田晴美 .

中国专利 :CN101364598B ,2009-02-11

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

坂仓真之 ;

及川欣聪 ;

冈崎健一 ;

丸山穗高 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN104934447B ,2015-09-23

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

坂仓真之 ;

及川欣聪 ;

冈崎健一 ;

丸山穗高 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN101997036A ,2011-03-30

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

秋元健吾 .

中国专利 :CN101110433A ,2008-01-23

[10]

半导体装置制造方法 [P].

山本雄一 .

中国专利 :CN101364570B ,2009-02-11

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