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半导体装置及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201110039859.X
申请日：
2007-07-20
公开(公告)号：
CN102136482A
公开(公告)日：
2011-07-27
发明(设计)人：
秋元健吾
申请人：
申请人地址：
日本神奈川
IPC主分类号：
H01L2712
IPC分类号：
H01L218246
H01L27105
代理机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人：
吴丽丽
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2011-07-27 | 公开 | 公开 |
| 2011-09-07 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101104510900 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:201110039859X 申请日:20070720 |
| 2012-10-24 | 授权 | 授权 |