半导体装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200610006810.3
申请日
2006-02-07
公开(公告)号
CN1819261A
公开(公告)日
2006-08-16
发明(设计)人
松下大介 村冈浩一 中崎靖 加藤弘一 清水敬
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2951
IPC分类号
H01L2978 H01L21283 H01L21336 H01L21314
代理机构
永新专利商标代理有限公司
代理人
于辉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
茂庭昌弘 ;
新田文彦 ;
松冈正道 ;
饭田里志 .
中国专利 :CN101447501B ,2009-06-03
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
纐纈洋章 ;
东雅彦 .
中国专利 :CN101167180A ,2008-04-23
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
筱原聪始 .
中国专利 :CN106960880A ,2017-07-18
[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
关口亮太 ;
尾内敏彦 .
中国专利 :CN105900235A ,2016-08-24
[5]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
秋元健吾 .
中国专利 :CN107221562B ,2017-09-29
[6]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
宫人秀和 .
中国专利 :CN105849875B ,2016-08-10
[7]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
伊东丰二 ;
藤井英治 .
中国专利 :CN100552954C ,2003-10-15
[8]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
石田雅宏 .
中国专利 :CN1190801A ,1998-08-19
[9]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
关川宏昭 .
中国专利 :CN107546237A ,2018-01-05
[10]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
吉村充弘 .
中国专利 :CN111755518A ,2020-10-09