半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910137236.9

申请日：

2009-04-27

公开(公告)号：

CN101572225B

公开(公告)日：

2009-11-04

发明(设计)人：

林正浩椎野刚

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2131 H01L23544

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;吴孟秋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-04	公开	公开
2011-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101073088677 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2009101372369 申请日:20090427
2018-05-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20090427 授权公告日:20121010 终止日期:20170427
2012-10-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

永井孝一 .

中国专利 :CN101641781A ,2010-02-03

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101151729A ,2008-03-26

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

宍田佳谦 ;

隣真一 ;

八木良太郎 .

中国专利 :CN101030561A ,2007-09-05

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

野村洋治 .

中国专利 :CN101026173B ,2007-08-29

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

久都内知惠 .

中国专利 :CN1225793C ,2004-01-21

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

赤尾真哉 .

中国专利 :CN105720103A ,2016-06-29

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

茂庭昌弘 ;

新田文彦 ;

松冈正道 ;

饭田里志 .

中国专利 :CN101447501B ,2009-06-03

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫口里江 ;

沟口修二 .

中国专利 :CN1658400A ,2005-08-24

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

藤农佑树 ;

可知刚 ;

宫下桂 ;

佐藤慎吾 .

日本专利 :CN117747660A ,2024-03-22

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

竹村康司 ;

平野博茂 ;

伊藤丰 ;

佐野光 ;

小池功二 .

中国专利 :CN102324419A ,2012-01-18

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