半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780051601.3

申请日：

2007-02-21

公开(公告)号：

CN101641781A

公开(公告)日：

2010-02-03

发明(设计)人：

永井孝一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L218246

IPC分类号：

H01L27105

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

浦柏明;徐恕

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-04	授权	授权
2021-01-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8246 申请日:20070221 授权公告日:20120404 终止日期:20200221
2010-02-03	公开	公开
2010-03-24	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

和泉宇俊 .

中国专利 :CN1914734A ,2007-02-14

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101151729A ,2008-03-26

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

林正浩 ;

椎野刚 .

中国专利 :CN101572225B ,2009-11-04

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

南志昌 .

中国专利 :CN101459158A ,2009-06-17

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

三河巧 ;

十代勇治 .

中国专利 :CN1862814A ,2006-11-15

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

成濑阳子 ;

松原直辉 ;

藤田和范 .

中国专利 :CN1612336A ,2005-05-04

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

大塚隆史 ;

中林隆 .

中国专利 :CN1933161A ,2007-03-21

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

林将志 ;

桥本浩一 ;

安达和广 .

中国专利 :CN102217070A ,2011-10-12

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

百浓宽之 ;

光山广志 ;

长谷川胜启 ;

西辻启子 ;

三木一伸 .

中国专利 :CN101383303A ,2009-03-11

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

立花文人 .

日本专利 :CN117637842A ,2024-03-01

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