半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610091228.1

申请日：

2006-06-07

公开(公告)号：

CN1933161A

公开(公告)日：

2007-03-21

发明(设计)人：

大塚隆史中林隆

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L27102 H01L2710 H01L2702 H01L2700 H01L218242 H01L218222 H01L2182 H01L21316 H01L2102 H01L2100

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

大塚隆史 ;

中林隆 ;

柴田义行 .

中国专利 :CN1979870A ,2007-06-13

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101151729A ,2008-03-26

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

大谷到 ;

林慎一郎 ;

西浦信二 .

中国专利 :CN101419968A ,2009-04-29

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

饭塚敏洋 ;

山本朝惠 ;

户田麻美 ;

山道新太郎 .

中国专利 :CN1391283A ,2003-01-15

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101702408A ,2010-05-05

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

野间淳史 ;

中尾圭策 ;

上本康裕 .

中国专利 :CN1278108A ,2000-12-27

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

新居雅人 .

中国专利 :CN115117069A ,2022-09-27

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101636836A ,2010-01-27

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

林将志 ;

桥本浩一 ;

安达和广 .

中国专利 :CN102217070A ,2011-10-12

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

佐次田直也 ;

横田龙也 .

中国专利 :CN1926687B ,2007-03-07

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-03-21	公开	公开
2010-12-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101058192494 IPC(主分类):H01L 27/108 专利申请号:2006100912281 公开日:20070321