半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710300715.9

申请日：

2007-12-25

公开(公告)号：

CN101221990A

公开(公告)日：

2008-07-16

发明(设计)人：

八木良太郎中尾雄一西村勇

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L2992

IPC分类号：

H01L23522 H01L2704 H01L2706 H01L2708 H01L2102 H01L21768 H01L21822

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李贵亮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-16	公开	公开
2010-10-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101033384639 IPC(主分类):H01L 29/92 专利申请号:2007103007159 公开日:20080716

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

野间淳史 ;

中尾圭策 ;

上本康裕 .

中国专利 :CN1278108A ,2000-12-27

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

中尾雄一 ;

太田直男 .

中国专利 :CN102822958A ,2012-12-12

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

饭塚敏洋 ;

山本朝惠 ;

户田麻美 ;

山道新太郎 .

中国专利 :CN1391283A ,2003-01-15

[4]

半导体装置制造方法及其半导体装置 [P].

矢野尚 ;

林慎一郎 .

中国专利 :CN1638060A ,2005-07-13

[5]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN102804414B ,2012-11-28

[6]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN102754225B ,2012-10-24

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101151729A ,2008-03-26

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

宍田佳谦 ;

隣真一 ;

八木良太郎 .

中国专利 :CN101030561A ,2007-09-05

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

久都内知惠 .

中国专利 :CN1225793C ,2004-01-21

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

王俊利 ;

平野智之 ;

片冈豊隆 ;

萩本贤哉 .

中国专利 :CN101345244B ,2009-01-14

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