半导体基底、半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080026251.7

申请日：

2010-06-10

公开(公告)号：

CN102804414B

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

酒井士郎

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3320

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

郭鸿禧;薛义丹

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-08	授权	授权
2014-06-04	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701479175 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:2010800262517 变更事项:申请人变更前:首尔OPTO仪器股份有限公司变更后:首尔伟傲世有限公司变更事项:地址变更前:韩国京畿道变更后:韩国京畿道
2013-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101383324438 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:2010800262517 申请日:20100610
2012-11-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN102754225B ,2012-10-24

[2]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN103151433A ,2013-06-12

[3]

半导体装置、半导体基底及其制造方法 [P].

车大吉 ;

金元住 ;

李太熙 ;

朴允童 .

中国专利 :CN101615617A ,2009-12-30

[4]

半导体元件、半导体装置、及其制造方法 [P].

庭山雅彦 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN103548142A ,2014-01-29

[5]

半导体装置及其半导体装置的制造方法 [P].

金本启 ;

冈秀明 .

中国专利 :CN1964046A ,2007-05-16

[6]

半导体基底、半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

陈孟扬 ;

李荣仁 .

中国专利 :CN110649132B ,2020-01-03

[7]

制造半导体基底的方法和半导体基底 [P].

木岛公一朗 ;

P·库纳斯 .

中国专利 :CN1742367A ,2006-03-01

[8]

半导体基底及其制造方法 [P].

金元住 ;

李太熙 ;

车大吉 ;

朴允童 .

中国专利 :CN101521211B ,2009-09-02

[9]

半导体装置和半导体基底 [P].

李勋择 ;

梁悳景 ;

李喜秀 .

中国专利 :CN211404495U ,2020-09-01

[10]

复合半导体衬底、半导体装置及其制造方法 [P].

蔡敏瑛 ;

吴政达 ;

郑有宏 ;

杜友伦 .

中国专利 :CN110323229A ,2019-10-11

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