半导体基底及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910008035.9

申请日：

2009-02-19

公开(公告)号：

CN101521211B

公开(公告)日：

2009-09-02

发明(设计)人：

金元住李太熙车大吉朴允童

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L21762 H01L21302 H01L2131

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

郭鸿禧;刘奕晴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-19	授权	授权
2023-01-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20090219 授权公告日:20121219 终止日期:20220219
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101057487705 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2009100080359 申请日:20090219
2009-09-02	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN102804414B ,2012-11-28

[2]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN103151433A ,2013-06-12

[3]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN102754225B ,2012-10-24

[4]

半导体装置、半导体基底及其制造方法 [P].

车大吉 ;

金元住 ;

李太熙 ;

朴允童 .

中国专利 :CN101615617A ,2009-12-30

[5]

制造半导体基底的方法和半导体基底 [P].

木岛公一朗 ;

P·库纳斯 .

中国专利 :CN1742367A ,2006-03-01

[6]

基底、封装基底、半导体封装件及其制造方法 [P].

朴辰遇 ;

林桓植 ;

安殷彻 .

中国专利 :CN102194768A ,2011-09-21

[7]

半导体器件基底及其制造方法及半导体封装件 [P].

米田义之 ;

南泽正荣 ;

渡边英二 ;

佐藤光孝 .

中国专利 :CN1225783C ,2003-09-03

[8]

半导体基底及其制备方法 [P].

黄至伟 .

中国专利 :CN111384151A ,2020-07-07

[9]

半导体基底、半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

陈孟扬 ;

李荣仁 .

中国专利 :CN110649132B ,2020-01-03

[10]

半导体封装和制造半导体封装基底的方法 [P].

许文松 ;

于达人 .

中国专利 :CN104916623A ,2015-09-16

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