半导体装置、半导体基底及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910150850.9

申请日：

2009-06-23

公开(公告)号：

CN101615617A

公开(公告)日：

2009-12-30

发明(设计)人：

车大吉金元住李太熙朴允童

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L2978 H01L2973 H01L2906 H01L218242

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人：

韩明星;刘奕晴

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101302121650 IPC(主分类):H01L 27/108 专利申请号:2009101508509 公开日:20091230
2009-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN102804414B ,2012-11-28

[2]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN103151433A ,2013-06-12

[3]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN102754225B ,2012-10-24

[4]

制造半导体基底的方法和半导体基底 [P].

木岛公一朗 ;

P·库纳斯 .

中国专利 :CN1742367A ,2006-03-01

[5]

半导体基底及其制造方法 [P].

金元住 ;

李太熙 ;

车大吉 ;

朴允童 .

中国专利 :CN101521211B ,2009-09-02

[6]

半导体装置和半导体基底 [P].

李勋择 ;

梁悳景 ;

李喜秀 .

中国专利 :CN211404495U ,2020-09-01

[7]

半导体装置制造方法及其半导体装置 [P].

矢野尚 ;

林慎一郎 .

中国专利 :CN1638060A ,2005-07-13

[8]

半导体基板、半导体装置及其制造方法 [P].

清泽努 .

日本专利 :CN119948599A ,2025-05-06

[9]

半导体元件、半导体装置、及其制造方法 [P].

庭山雅彦 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN103548142A ,2014-01-29

[10]

半导体装置、半导体晶片及其制造方法 [P].

杨富量 ;

杨育佳 ;

陈宏玮 ;

曹训志 ;

胡正明 .

中国专利 :CN1773727A ,2006-05-17

← 1 2 3 4 5 →