半导体装置、半导体晶片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510089249.5

申请日：

2005-07-28

公开(公告)号：

CN1773727A

公开(公告)日：

2006-05-17

发明(设计)人：

杨富量杨育佳陈宏玮曹训志胡正明

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2712 H01L21336 H01L2184

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-08	授权	授权
2006-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-05-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体晶片、半导体装置及其制造方法 [P].

上田哲三 ;

石田昌宏 .

中国专利 :CN1467863A ,2004-01-14

[2]

半导体装置、半导体晶片与制造半导体晶片的方法 [P].

林孟汉 ;

黄家恩 .

中国专利 :CN114725123A ,2022-07-08

[3]

半导体晶片、半导体芯片以及半导体装置及其制造方法 [P].

吉田宗博 .

中国专利 :CN105895601A ,2016-08-24

[4]

半导体芯片、半导体晶片及半导体装置及其制造方法 [P].

原一巳 .

中国专利 :CN1518105A ,2004-08-04

[5]

半导体晶片、半导体晶片的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

小池貴 ;

高桑真步 .

中国专利 :CN112447825A ,2021-03-05

[6]

半导体装置制造方法和半导体晶片 [P].

太田祐一 ;

喜多贤太郎 ;

大浦雄大 ;

吉田宏平 .

中国专利 :CN106920769A ,2017-07-04

[7]

半导体装置的制造方法、半导体晶片以及半导体装置 [P].

保利幸隆 .

中国专利 :CN101145521B ,2008-03-19

[8]

半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法 [P].

田渕慎一 ;

阿多保夫 .

日本专利 :CN111954926B ,2024-04-30

[9]

半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法 [P].

田渕慎一 ;

阿多保夫 .

中国专利 :CN111954926A ,2020-11-17

[10]

半导体晶片及在半导体晶片中制造半导体装置的方法 [P].

W·扬奇尔 ;

H-J·舒尔策 ;

H·韦伯 .

中国专利 :CN106128967A ,2016-11-16

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