半导体晶片、半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03141115.0

申请日：

2003-06-09

公开(公告)号：

CN1467863A

公开(公告)日：

2004-01-14

发明(设计)人：

上田哲三石田昌宏

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2120 H01S500

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-01-14	公开	公开
2005-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-06-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

半导体装置、半导体晶片及其制造方法 [P].

杨富量 ;

杨育佳 ;

陈宏玮 ;

曹训志 ;

胡正明 .

中国专利 :CN1773727A ,2006-05-17

[2]

半导体装置、半导体晶片与制造半导体晶片的方法 [P].

林孟汉 ;

黄家恩 .

中国专利 :CN114725123A ,2022-07-08

[3]

半导体晶片、半导体芯片以及半导体装置及其制造方法 [P].

吉田宗博 .

中国专利 :CN105895601A ,2016-08-24

[4]

半导体芯片、半导体晶片及半导体装置及其制造方法 [P].

原一巳 .

中国专利 :CN1518105A ,2004-08-04

[5]

半导体晶片、半导体晶片的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

小池貴 ;

高桑真步 .

中国专利 :CN112447825A ,2021-03-05

[6]

半导体装置制造方法和半导体晶片 [P].

太田祐一 ;

喜多贤太郎 ;

大浦雄大 ;

吉田宏平 .

中国专利 :CN106920769A ,2017-07-04

[7]

半导体装置的制造方法、半导体晶片以及半导体装置 [P].

保利幸隆 .

中国专利 :CN101145521B ,2008-03-19

[8]

半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法 [P].

田渕慎一 ;

阿多保夫 .

日本专利 :CN111954926B ,2024-04-30

[9]

半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法 [P].

田渕慎一 ;

阿多保夫 .

中国专利 :CN111954926A ,2020-11-17

[10]

半导体晶片及其制造方法 [P].

武富优绮 ;

三木耕平 ;

宫国晋一 .

日本专利 :CN114556529B ,2025-02-25

← 1 2 3 4 5 →