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半导体晶片及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201980101276.X
申请日：
2019-10-23
公开(公告)号：
CN114556529B
公开(公告)日：
2025-02-25
发明(设计)人：
武富优绮
三木耕平
宫国晋一
申请人：
三菱电机株式会社
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L21/20
IPC分类号：
H01L21/205
H01L21/31
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
郭忠健
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-02-25 | 授权 | 授权 |