半导体晶片及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN01800521.7
申请日
2001-03-27
公开(公告)号
CN1364309A
公开(公告)日
2002-08-14
发明(设计)人
神泽好彦 能泽克弥 斋藤彻 久保实
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01L2120
IPC分类号
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司
代理人
汪惠民
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
内藤宽 .
中国专利 :CN101110389A ,2008-01-23
[2]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
内藤宽 .
中国专利 :CN1681081A ,2005-10-12
[3]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
内藤宽 ;
藤田晴光 .
中国专利 :CN1649154A ,2005-08-03
[4]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
林孟汉 ;
黄家恩 .
中国专利 :CN115000080A ,2022-09-02
[5]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
G·阿邦丹扎 .
中国专利 :CN102939642A ,2013-02-20
[6]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
栗田英树 ;
中村正志 .
中国专利 :CN1502117A ,2004-06-02
[7]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
武富优绮 ;
三木耕平 ;
宫国晋一 .
日本专利 :CN114556529B ,2025-02-25
[8]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
铃木範夫 ;
清田省吾 ;
久保征治 ;
奥山幸祐 ;
白须辰美 .
中国专利 :CN1323058A ,2001-11-21
[9]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
曹训志 ;
黄健朝 ;
杨富量 .
中国专利 :CN1700451A ,2005-11-23
[10]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
吴炳昌 .
中国专利 :CN101047176A ,2007-10-03