半导体晶片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510005687.9

申请日：

2005-01-24

公开(公告)号：

CN1649154A

公开(公告)日：

2005-08-03

发明(设计)人：

内藤宽藤田晴光

申请人：

申请人地址：

日本静冈县

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L2100 H01L2166

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/04 申请日:20050124 授权公告日:20080326 终止日期:20170124
2005-08-03	公开	公开
2005-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-03-26	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体晶片及其制造方法 [P].

内藤宽 .

中国专利 :CN101110389A ,2008-01-23

[2]

半导体晶片及其制造方法 [P].

内藤宽 .

中国专利 :CN1681081A ,2005-10-12

[3]

半导体晶片及其制造方法 [P].

曹训志 ;

黄健朝 ;

杨富量 .

中国专利 :CN1700451A ,2005-11-23

[4]

半导体晶片及其制造方法 [P].

神泽好彦 ;

能泽克弥 ;

斋藤彻 ;

久保实 .

中国专利 :CN1364309A ,2002-08-14

[5]

半导体晶片及其制造方法 [P].

林孟汉 ;

黄家恩 .

中国专利 :CN115000080A ,2022-09-02

[6]

半导体晶片及其制造方法 [P].

G·阿邦丹扎 .

中国专利 :CN102939642A ,2013-02-20

[7]

半导体晶片及其制造方法 [P].

栗田英树 ;

中村正志 .

中国专利 :CN1502117A ,2004-06-02

[8]

半导体晶片及其制造方法 [P].

武富优绮 ;

三木耕平 ;

宫国晋一 .

日本专利 :CN114556529B ,2025-02-25

[9]

半导体晶片及其制造方法 [P].

铃木範夫 ;

清田省吾 ;

久保征治 ;

奥山幸祐 ;

白须辰美 .

中国专利 :CN1323058A ,2001-11-21

[10]

半导体晶片及其制造方法 [P].

吴炳昌 .

中国专利 :CN101047176A ,2007-10-03

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