半导体晶片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180028435.1

申请日：

2011-04-29

公开(公告)号：

CN102939642A

公开(公告)日：

2013-02-20

发明(设计)人：

G·阿邦丹扎

申请人：

申请人地址：

意大利阿格拉布里安扎

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华;张宁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-20	公开	公开
2013-04-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101439717705 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2011800284351 申请日:20110429
2016-08-03	授权	授权

共 50 条

[1]

多层半导体晶片及其制造方法 [P].

B·墨菲 ;

R·瓦利希 .

中国专利 :CN101501836A ,2009-08-05

[2]

半导体晶片及其制造方法 [P].

陈辰 ;

宋杰 ;

崔周源 .

中国专利 :CN109378368A ,2019-02-22

[3]

半导体晶片及其制造方法以及半导体器件及其制造方法 [P].

江头克 .

中国专利 :CN1260804C ,2002-11-13

[4]

硅半导体晶片及其制造方法 [P].

中居克彦 ;

W·V·阿蒙 ;

福岛圣 ;

H·施密特 ;

M·韦伯 .

中国专利 :CN101187058B ,2008-05-28

[5]

半导体晶片的制造方法和半导体晶片 [P].

金子忠昭 ;

大谷升 ;

牛尾昌史 ;

安达步 ;

野上晓 .

中国专利 :CN103857835A ,2014-06-11

[6]

半导体晶片及其制造方法 [P].

林孟汉 ;

黄家恩 .

中国专利 :CN115000080A ,2022-09-02

[7]

半导体晶片及其制造方法 [P].

栗田英树 ;

中村正志 .

中国专利 :CN1502117A ,2004-06-02

[8]

半导体晶片及其制造方法 [P].

武富优绮 ;

三木耕平 ;

宫国晋一 .

日本专利 :CN114556529B ,2025-02-25

[9]

半导体晶片及其制造方法 [P].

铃木範夫 ;

清田省吾 ;

久保征治 ;

奥山幸祐 ;

白须辰美 .

中国专利 :CN1323058A ,2001-11-21

[10]

半导体晶片及其制造方法 [P].

曹训志 ;

黄健朝 ;

杨富量 .

中国专利 :CN1700451A ,2005-11-23

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