半导体晶片及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN02808133.1
申请日
2002-12-17
公开(公告)号
CN1502117A
公开(公告)日
2004-06-02
发明(设计)人
栗田英树 中村正志
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2102
IPC分类号
H01L21205
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
刘宗杰;梁永
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
林孟汉 ;
黄家恩 .
中国专利 :CN115000080A ,2022-09-02
[2]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
G·阿邦丹扎 .
中国专利 :CN102939642A ,2013-02-20
[3]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
武富优绮 ;
三木耕平 ;
宫国晋一 .
日本专利 :CN114556529B ,2025-02-25
[4]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
铃木範夫 ;
清田省吾 ;
久保征治 ;
奥山幸祐 ;
白须辰美 .
中国专利 :CN1323058A ,2001-11-21
[5]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
曹训志 ;
黄健朝 ;
杨富量 .
中国专利 :CN1700451A ,2005-11-23
[6]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
内藤宽 .
中国专利 :CN101110389A ,2008-01-23
[7]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
神泽好彦 ;
能泽克弥 ;
斋藤彻 ;
久保实 .
中国专利 :CN1364309A ,2002-08-14
[8]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
吴炳昌 .
中国专利 :CN101047176A ,2007-10-03
[9]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
佐藤三千登 .
中国专利 :CN103493184A ,2014-01-01
[10]
半导体晶片及其制造方法 [P]. 
武富优绮 ;
三木耕平 ;
宫国晋一 .
中国专利 :CN114556529A ,2022-05-27