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半导体晶片及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200610071586.6
申请日
:
2006-03-30
公开(公告)号
:
CN101047176A
公开(公告)日
:
2007-10-03
发明(设计)人
:
吴炳昌
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹科学工业园区
IPC主分类号
:
H01L2702
IPC分类号
:
H01L2182
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所
代理人
:
陶凤波;侯宇
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2007-10-03
公开
公开
2009-03-04
授权
授权
2007-11-28
实质审查的生效
实质审查的生效
共 50 条
[1]
半导体晶片及其制造方法
[P].
曹训志
论文数:
0
引用数:
0
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0
曹训志
;
黄健朝
论文数:
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黄健朝
;
杨富量
论文数:
0
引用数:
0
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杨富量
.
中国专利
:CN1700451A
,2005-11-23
[2]
半导体结构、半导体晶片及其制造方法
[P].
郑心圃
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0
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郑心圃
;
赵智杰
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赵智杰
;
卢思维
论文数:
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0
卢思维
.
中国专利
:CN101075588A
,2007-11-21
[3]
半导体晶片、半导体IC芯片及其制造方法
[P].
中村寿雄
论文数:
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中村寿雄
;
中込祐一
论文数:
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中込祐一
;
熊谷裕弘
论文数:
0
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熊谷裕弘
.
中国专利
:CN104299898B
,2015-01-21
[4]
半导体晶片及其制造方法
[P].
林孟汉
论文数:
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林孟汉
;
黄家恩
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黄家恩
.
中国专利
:CN115000080A
,2022-09-02
[5]
半导体晶片及其制造方法
[P].
G·阿邦丹扎
论文数:
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0
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0
G·阿邦丹扎
.
中国专利
:CN102939642A
,2013-02-20
[6]
半导体晶片及其制造方法
[P].
栗田英树
论文数:
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栗田英树
;
中村正志
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中村正志
.
中国专利
:CN1502117A
,2004-06-02
[7]
半导体晶片及其制造方法
[P].
武富优绮
论文数:
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
武富优绮
;
三木耕平
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
三木耕平
;
宫国晋一
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0
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
宫国晋一
.
日本专利
:CN114556529B
,2025-02-25
[8]
半导体晶片及其制造方法
[P].
铃木範夫
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铃木範夫
;
清田省吾
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清田省吾
;
久保征治
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久保征治
;
奥山幸祐
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奥山幸祐
;
白须辰美
论文数:
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引用数:
0
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白须辰美
.
中国专利
:CN1323058A
,2001-11-21
[9]
半导体晶片及其制造方法
[P].
内藤宽
论文数:
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内藤宽
.
中国专利
:CN101110389A
,2008-01-23
[10]
半导体晶片及其制造方法
[P].
神泽好彦
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神泽好彦
;
能泽克弥
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能泽克弥
;
斋藤彻
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斋藤彻
;
久保实
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久保实
.
中国专利
:CN1364309A
,2002-08-14
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