半导体元件、半导体装置、及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280009601.8

申请日：

2012-09-03

公开(公告)号：

CN103548142A

公开(公告)日：

2014-01-29

发明(设计)人：

庭山雅彦内田正雄

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2906 H01L2912

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

樊建中

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-20	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101726951101 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012800096018 登记生效日:20151231 变更事项:申请人变更前权利人:松下电器产业株式会社变更后权利人:松下知识产权经营株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:日本国大阪府
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576167756 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012800096018 申请日:20120903
2014-01-29	公开	公开
2016-05-04	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元件及其制造方法 [P].

内田正雄 .

中国专利 :CN110120428A ,2019-08-13

[2]

半导体元件及半导体装置 [P].

内田正雄 .

中国专利 :CN202394977U ,2012-08-22

[3]

半导体元件及其制造方法 [P].

内田正雄 ;

田中康太郎 .

中国专利 :CN103180959B ,2013-06-26

[4]

半导体元件以及半导体装置 [P].

内田正雄 .

中国专利 :CN102668094B ,2012-09-12

[5]

半导体元件以及半导体元件制造方法 [P].

小林光 ;

长泽弘幸 ;

八田直记 ;

河原孝光 .

中国专利 :CN101919032A ,2010-12-15

[6]

半导体元件及其制造方法 [P].

黄仲麟 .

中国专利 :CN111162075A ,2020-05-15

[7]

半导体元件以及半导体装置 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN101483193B ,2009-07-15

[8]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

河原弘幸 .

日本专利 :CN118786589A ,2024-10-15

[9]

半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

绵谷力 .

日本专利 :CN118715602A ,2024-09-27

[10]

半导体元件、半导体装置以及半导体元件的制造方法 [P].

生野彻 ;

大西孝治 ;

西岛直也 .

日本专利 :CN120600698A ,2025-09-05

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