半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180051610.9

申请日：

2011-10-27

公开(公告)号：

CN103180959B

公开(公告)日：

2013-06-26

发明(设计)人：

内田正雄田中康太郎

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2906 H01L2912

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-23	授权	授权
2013-06-26	公开	公开
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101497322233 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011800516109 申请日:20111027

共 50 条

[1]

半导体元件及其制造方法 [P].

内田正雄 .

中国专利 :CN110120428A ,2019-08-13

[2]

半导体元件、半导体装置、及其制造方法 [P].

庭山雅彦 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN103548142A ,2014-01-29

[3]

半导体元件及其制造方法 [P].

黄仲麟 .

中国专利 :CN111162075A ,2020-05-15

[4]

半导体元件以及半导体元件制造方法 [P].

小林光 ;

长泽弘幸 ;

八田直记 ;

河原孝光 .

中国专利 :CN101919032A ,2010-12-15

[5]

光半导体元件及其制造方法 [P].

堀口裕一郎 ;

西川智志 ;

秋山浩一 ;

福永圭吾 ;

外间洋平 ;

铃木洋介 .

中国专利 :CN111684344A ,2020-09-18

[6]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

河原弘幸 .

日本专利 :CN118786589A ,2024-10-15

[7]

半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

绵谷力 .

日本专利 :CN118715602A ,2024-09-27

[8]

半导体元件 [P].

内田正雄 ;

斋藤浩一 ;

长谷川贵史 .

中国专利 :CN111584613A ,2020-08-25

[9]

半导体元件及其制造方法 [P].

潘昇良 ;

陈泳字 ;

李中傑 ;

徐永昌 ;

洪嘉阳 ;

王柏荃 ;

陈冠亘 ;

林焕哲 .

中国专利 :CN114864500A ,2022-08-05

[10]

半导体元件及其制造方法 [P].

郑志昌 ;

朱馥钰 ;

柳瑞兴 ;

雷明达 ;

黄士芬 .

中国专利 :CN109801968A ,2019-05-24

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