半导体元件以及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180005084.2

申请日：

2011-10-27

公开(公告)号：

CN102668094B

公开(公告)日：

2012-09-12

发明(设计)人：

内田正雄

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2906 H01L2912

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-25	授权	授权
2012-09-12	公开	公开
2012-11-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101343111890 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011800050842 申请日:20111027

共 50 条

[1]

半导体元件以及半导体装置 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN101483193B ,2009-07-15

[2]

半导体元件及半导体装置 [P].

内田正雄 .

中国专利 :CN202394977U ,2012-08-22

[3]

半导体元件以及半导体元件制造方法 [P].

小林光 ;

长泽弘幸 ;

八田直记 ;

河原孝光 .

中国专利 :CN101919032A ,2010-12-15

[4]

半导体元件、半导体元件的制造方法以及使用半导体元件的半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

本田达也 ;

平石铃之介 ;

金村大志 ;

太田将志 .

中国专利 :CN103123936A ,2013-05-29

[5]

半导体元件 [P].

内田正雄 ;

堀川信之 ;

田中康太郎 ;

清泽努 .

中国专利 :CN103890953A ,2014-06-25

[6]

半导体元件、半导体装置 [P].

小西和也 ;

西康一 ;

古川彰彦 .

日本专利 :CN120857529A ,2025-10-28

[7]

半导体元件、半导体装置 [P].

小西和也 ;

西康一 ;

古川彰彦 .

日本专利 :CN114497200B ,2025-07-18

[8]

半导体元件、半导体装置 [P].

小西和也 ;

西康一 ;

古川彰彦 .

中国专利 :CN114497200A ,2022-05-13

[9]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

河原弘幸 .

日本专利 :CN118786589A ,2024-10-15

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

上村和贵 ;

洼内源宜 .

中国专利 :CN113809147A ,2021-12-17

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