半导体器件基底及其制造方法及半导体封装件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02147180.0

申请日：

2002-10-25

公开(公告)号：

CN1225783C

公开(公告)日：

2003-09-03

发明(设计)人：

米田义之南泽正荣渡边英二佐藤光孝

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2312

IPC分类号：

H01L2148

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

李强

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体器件、半导体封装件及其制造方法 [P].

郭丰维 ;

廖文翔 .

中国专利 :CN120358787A ,2025-07-22

[2]

半导体封装件、半导体器件及其制造方法 [P].

刘家宏 ;

陈明发 ;

李志煌 ;

陈琮瑜 ;

庄立朴 .

中国专利 :CN121232381A ,2025-12-30

[3]

半导体封装、半导体器件及其制造方法 [P].

森本滋 ;

太田顺道 ;

前田昌宏 .

中国专利 :CN1251942A ,2000-05-03

[4]

半导体器件、半导体封装件和制造半导体器件的方法 [P].

洪义官 ;

金泰成 .

中国专利 :CN110610923A ,2019-12-24

[5]

半导体器件、半导体封装件和制造半导体器件的方法 [P].

洪义官 ;

金泰成 .

韩国专利 :CN110610923B ,2025-04-04

[6]

半导体封装、半导体器件及半导体封装的制造方法 [P].

小林剑人 .

日本专利 :CN120814050A ,2025-10-17

[7]

半导体器件、半导体封装及制造半导体器件的方法 [P].

崔朱逸 ;

文光辰 ;

徐柱斌 ;

林东灿 ;

藤崎纯史 ;

李镐珍 .

中国专利 :CN109300871A ,2019-02-01

[8]

半导体器件及半导体封装件 [P].

金恩知 ;

赵星东 ;

朴光郁 ;

朴相俊 ;

李大硕 ;

李学承 .

中国专利 :CN112242379A ,2021-01-19

[9]

半导体器件及半导体封装件 [P].

金恩知 ;

赵星东 ;

朴光郁 ;

朴相俊 ;

李大硕 ;

李学承 .

韩国专利 :CN112242379B ,2025-12-05

[10]

半导体封装制造方法及半导体器件 [P].

千硕杓 ;

金炅吾 .

中国专利 :CN101174571A ,2008-05-07

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-25	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101006972442 IPC(主分类):H01L 23/12 专利号:ZL021471800 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本神奈川县
2017-12-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/12 申请日:20021025 授权公告日:20051102 终止日期:20161025
2009-01-21	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本东京登记生效日:20081219
2005-11-02	授权	授权
2003-09-03	公开	公开
2003-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-08-25	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101006972443 IPC(主分类):H01L 23/12 专利号:ZL021471800 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本神奈川县
2015-06-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101716346084 IPC(主分类):H01L 23/12 专利号:ZL021471800 变更事项:专利权人变更前权利人:富士通半导体股份有限公司变更后权利人:株式会社索思未来变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20150525