半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410505348.X

申请日：

2024-04-25

公开(公告)号：

CN119943681A

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

韩允哲

申请人：

爱思开海力士有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21/56

IPC分类号：

H01L23/31 H01L23/00

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

刘久亮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	公开	公开
2025-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/56申请日:20240425

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

菊池克 ;

山道新太郎 ;

村井秀哉 ;

前田胜美 ;

船矢琢央 ;

森健太郎 ;

前田武彦 ;

川野连也 ;

萱岛祐治 .

中国专利 :CN101536181B ,2009-09-16

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

罗诺纬 ;

吴华标 .

中国专利 :CN113764258B ,2024-05-31

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

闵宣基 ;

金松伊 ;

柳庚玟 ;

柳齐民 .

中国专利 :CN108336025A ,2018-07-27

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN104347407B ,2015-02-11

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

本城广 .

中国专利 :CN102487051A ,2012-06-06

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

B·博亚诺夫 ;

A·梅希 ;

B·多勒 ;

R·肖 .

中国专利 :CN101714528A ,2010-05-26

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

林柏均 .

中国专利 :CN107293522A ,2017-10-24

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

罗诺纬 ;

吴华标 .

中国专利 :CN113764258A ,2021-12-07

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN104347408B ,2015-02-11

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

池田晴美 .

中国专利 :CN101364598B ,2009-02-11

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