半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310327038.5

申请日：

2013-07-31

公开(公告)号：

CN104347408B

公开(公告)日：

2015-02-11

发明(设计)人：

肖德元

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

刘倜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-11	公开	公开
2015-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101601522183 IPC(主分类):H01L 21/335 专利申请号:2013103270385 申请日:20130731
2017-12-26	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN104347407B ,2015-02-11

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

乡户宏充 .

中国专利 :CN103348464B ,2013-10-09

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

野田泰史 .

中国专利 :CN1694263A ,2005-11-09

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

粉谷直树 .

中国专利 :CN1577886A ,2005-02-09

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

野田泰史 .

中国专利 :CN1505121A ,2004-06-16

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

井上亚矢子 ;

斋藤直人 .

中国专利 :CN101814437A ,2010-08-25

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109427585A ,2019-03-05

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN108962987A ,2018-12-07

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102117828A ,2011-07-06

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

冈田政也 ;

木山诚 .

中国专利 :CN102148244A ,2011-08-10

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