半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710355386.1

申请日：

2017-05-19

公开(公告)号：

CN108962987A

公开(公告)日：

2018-12-07

发明(设计)人：

赵猛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

李浩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20170519
2020-11-13	授权	授权
2018-12-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109427585A ,2019-03-05

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN109216448A ,2019-01-15

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

彭仕敏 .

中国专利 :CN107689319A ,2018-02-13

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109427676B ,2019-03-05

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102386226B ,2012-03-21

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN110047908B ,2019-07-23

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

岛宗洋介 ;

大田裕之 ;

畑田明良 ;

片上朗 ;

田村直义 .

中国专利 :CN1885556A ,2006-12-27

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

乡户宏充 .

中国专利 :CN103348464B ,2013-10-09

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

杨佳琦 ;

赵杰 .

中国专利 :CN108630519A ,2018-10-09

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

王贤超 .

中国专利 :CN107799386B ,2018-03-13

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